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SIDR104ADP-T1-RE3
MOSFET, CANAL N, 100V, 81A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR104ADP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)77AH0211RL
Cinta adhesiva77AH0211
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 53 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.750 | $3.75 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.75 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.750 |
| 50+ | $2.470 |
| 100+ | $1.770 |
| 250+ | $1.610 |
| 500+ | $1.450 |
| 1000+ | $1.420 |
| 2500+ | $1.400 |
| 5000+ | $1.370 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR104ADP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)77AH0211RL
Cinta adhesiva77AH0211
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id81A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6100µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
81A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto