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SIHB33N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK
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FabricanteVISHAY
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.370 |
| 10+ | $7.900 |
| 25+ | $7.510 |
| 50+ | $6.970 |
| 100+ | $6.420 |
| 250+ | $5.720 |
| 500+ | $4.760 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHB33N60E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark19X1931
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id33A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.099ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia278W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.099ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
278W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SIHB33N60E-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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