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SIHD12N50E-GE3
MOSFET de Potencia, Serie E, Canal N, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.820 | $2.82 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.820 |
| 50+ | $1.820 |
| 100+ | $1.250 |
| 250+ | $1.120 |
| 500+ | $0.994 |
| 1000+ | $0.916 |
| 2500+ | $0.913 |
| 5000+ | $0.908 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHD12N50E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43Y2396RL
Cinta adhesiva43Y2396
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id10.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.33ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.33
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd114W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia114
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SIHD12N50E-GE3 es un MOSFET de potencia en modo N de canal N de mejora adecuado para computación, iluminación, electrónica de consumo, fuentes de alimentación de modo de conmutación y aplicaciones de topología de conmutación dura.
- Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qg
- Baja capacitancia de entrada (CISS)
- Conmutación reducida
- Reducción de las pérdidas de conducción.
- Baja carga de compuerta (Qg)
- Energía de avalancha clasificada (UIS)
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.33ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
114W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.33
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
114
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto