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SIHG33N60EF-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 33 A, 0.098 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark31Y6761
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 500+ | $5.550 |
| 1000+ | $5.450 |
| 1500+ | $5.330 |
| 2500+ | $5.230 |
| 5000+ | $5.110 |
| 12500+ | $5.000 |
| 25000+ | $4.890 |
| 50000+ | $4.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 500
Múltiple: 500
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHG33N60EF-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark31Y6761
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.098
Resistencia de Activación Rds(on)0.085ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd278W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-247AC
Disipación de Potencia278
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.098
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
278W
Diseño de Transistor
TO-247AC
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia de Activación Rds(on)
0.085ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
278
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIHG33N60EF-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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