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SIHG47N60AE-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 43 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHG47N60AE-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark20AC3821
Rango de ProductoE Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id43
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia313
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
43
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
313
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto