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SIHP33N60EF-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 33 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHP33N60EF-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark31Y6763
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $5.260 |
| 2000+ | $5.150 |
| 3000+ | $5.050 |
| 5000+ | $4.940 |
| 10000+ | $4.830 |
| 25000+ | $4.730 |
| 50000+ | $4.620 |
| 100000+ | $4.530 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHP33N60EF-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark31Y6763
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia de Activación Rds(on)0.085ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.098
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd278W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia278
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SIHP33N60EF-GE3 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 650V con configuración única. Es adecuado para SMPS, fuentes de alimentación de servidor, telecomunicaciones y PFC, energía solar, accionamientos de motor, calentamiento por inducción, energía renovable y aplicaciones de soldadura.
- Diodo de cuerpo rapido
- Reducción de trr, Qrr y IRRM
- Bajo nivel de mérito (FOM) RON x Qg
- Baja capacitancia de entrada (Ciss)
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- Ultra baja carga de compuerta
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.085ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.098
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
278W
Disipación de Potencia
278
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIHP33N60EF-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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