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SIR1309DP-T1-GE3
MOSFET CANAL P 30V/65.7A, POWERPAK SO-8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR1309DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)30AK7445RL
Cinta adhesiva30AK7445
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.740 | $1.74 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.74 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.740 |
| 50+ | $1.140 |
| 100+ | $0.808 |
| 250+ | $0.736 |
| 500+ | $0.664 |
| 1000+ | $0.618 |
| 2500+ | $0.588 |
| 5000+ | $0.558 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR1309DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)30AK7445RL
Cinta adhesiva30AK7445
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id65.7A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7300µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia56.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
65.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
56.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto