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SIR5102DP-T1-RE3
MOSFET, CANAL N, 100V, 110A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR5102DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0398RL
Cinta adhesiva57AJ0398
Rango de ProductoTrenchFET Gen V
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.200 | $5.20 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.200 |
| 50+ | $3.640 |
| 100+ | $2.750 |
| 250+ | $2.590 |
| 500+ | $2.420 |
| 1000+ | $2.390 |
| 2500+ | $2.350 |
| 5000+ | $2.320 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR5102DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0398RL
Cinta adhesiva57AJ0398
Rango de ProductoTrenchFET Gen V
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia104W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4100µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
104W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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