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SIR610DP-T1-RE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 35.4 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR610DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15AC8641RL
Cinta adhesiva15AC8641
Rango de ProductoThunderFET
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66 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.220 | $4.22 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.220 |
| 50+ | $2.810 |
| 100+ | $2.070 |
| 250+ | $1.920 |
| 500+ | $1.760 |
| 1000+ | $1.740 |
| 2500+ | $1.670 |
| 5000+ | $1.610 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR610DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15AC8641RL
Cinta adhesiva15AC8641
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id35.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.0239ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0319ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia104
Disipación de Potencia Pd104W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 200 V (D-S) adecuado para su uso en telecomunicaciones fijas, convertidor CD/CD, interruptor lateral primario y secundario, rectificación síncrona, iluminación LED, fuentes de alimentación y amplificador de clase D.
- La tecnología ThunderFET® optimiza el equilibrio de RDS (encendido), Qi, Qsw y Qoss
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0239ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
104
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0319ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
104W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIR610DP-T1-RE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto