Imprimir página
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 30 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA10DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark68W7083
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.641 |
| 6000+ | $0.633 |
| 9000+ | $0.620 |
| 15000+ | $0.607 |
| 30000+ | $0.595 |
| 75000+ | $0.582 |
| 150000+ | $0.569 |
| 300000+ | $0.557 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,923.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA10DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark68W7083
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0037
Resistencia de Activación Rds(on)0.0028ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.1
Disipación de Potencia40
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0037
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0028ohm
Disipación de Potencia Pd
40W
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIRA10DP-T1-GE3
3 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto