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SIRB40DP-T1-GE3
DUAL MOSFET,N-CH, 40V, 40A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRB40DP-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark57AJ0395
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark57AJ0395
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N40A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P40A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2700µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2700µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N46.2W
Disipación de Potencia de Canal P46.2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
40A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2700µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
46.2W
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
40A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2700µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
46.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto