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SIS434DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 35 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS434DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6257
Re-reeling (Rollos a medida)35R6202RL
Cinta adhesiva35R6202
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.527 | $1,581.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1,581.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.527 |
| 6000+ | $0.501 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.836 |
| 4000+ | $0.771 |
| 6000+ | $0.750 |
| 10000+ | $0.738 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS434DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6257
Re-reeling (Rollos a medida)35R6202RL
Cinta adhesiva35R6202
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0076
Resistencia de Activación Rds(on)0.0063ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.8W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia3.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SIS434DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 40 VDS adecuado para aplicaciones POL.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0076
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0063ohm
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
3.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIS434DN-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto