Imprimir página
SIS454DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 35 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS454DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark87W5910
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semana(s)
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.788 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$2,364.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS454DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark87W5910
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia de Activación Rds(on)0.003ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0037
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.8W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El SIS454DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 20 VDS adecuado para aplicaciones de convertidor de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.003ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0037
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SIS454DN-T1-GE3
2 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto