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SISH892BDN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISH892BDN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark87AJ3412
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.000 |
| 10+ | $0.803 |
| 100+ | $0.543 |
| 500+ | $0.470 |
| 1000+ | $0.409 |
| 2500+ | $0.332 |
| 10000+ | $0.321 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISH892BDN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark87AJ3412
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0304
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia29
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
29
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0304
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SISH892BDN-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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