Imprimir página
SISS30ADN-T1-GE3
MOSFET N 80V/54.7A/POWERPAK 1212-8S
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS30ADN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark81AH9258
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
4,295 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.370 |
| 10+ | $1.600 |
| 25+ | $1.460 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $1.150 |
| 250+ | $1.050 |
| 500+ | $0.954 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.37
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS30ADN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark81AH9258
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id54.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8900µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia57W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8900µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
54.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto