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SIZF918DT-T1-GE3
MOSFET DOBLE CANAL N, 30V/60A, POWERPAIR
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF918DT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81AC2802RL
Cinta adhesiva81AC2802
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.680 | $2.68 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.68 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.680 |
| 50+ | $1.730 |
| 100+ | $1.180 |
| 250+ | $1.060 |
| 500+ | $0.940 |
| 1000+ | $0.865 |
| 2500+ | $0.841 |
| 5000+ | $0.815 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF918DT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81AC2802RL
Cinta adhesiva81AC2802
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1200µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1200µohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N50W
Disipación de Potencia de Canal P50W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
60A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1200µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
50W
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1200µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto