Imprimir página
SQ3493EV-T1_GE3
MOSFET, CANAL P, 20V, 8A, TSOP
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
8,554 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.330 | $1.33 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.33 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.330 |
| 50+ | $0.833 |
| 100+ | $0.548 |
| 250+ | $0.487 |
| 500+ | $0.425 |
| 1000+ | $0.386 |
| 2500+ | $0.360 |
| 5000+ | $0.334 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ3493EV-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81AH9291RL
Cinta adhesiva81AH9291
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia5W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
5W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto