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SQ4284EY-T1_BE3
MOSFET Dual, Canal N, 40 V, 8 A, 0.0112 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4284EY-T1_BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8976RL
Cinta adhesiva80AH8976
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
2,470 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.500 | $2.50 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.500 |
| 50+ | $1.530 |
| 100+ | $0.925 |
| 250+ | $0.872 |
| 500+ | $0.819 |
| 1000+ | $0.788 |
| 2500+ | $0.772 |
| 5000+ | $0.756 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4284EY-T1_BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8976RL
Cinta adhesiva80AH8976
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Intensidad Drenador Continua Id8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0112
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.9
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0112
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.9
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto