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SQ4917EY-T1_BE3
MOSFET Dual, Canal P, 60 V, 8 A
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4917EY-T1_BE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8980
Cinta adhesiva80AH8980
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
1,839 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $50.000 | $50.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $50.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $50.000 |
| 10+ | $30.000 |
| 25+ | $27.200 |
| 50+ | $24.200 |
| 100+ | $21.400 |
| 250+ | $19.420 |
| 500+ | $17.320 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4917EY-T1_BE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8980
Cinta adhesiva80AH8980
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.04
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P5
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.04
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
5
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto