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SQD50P08-25L_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQD50P08-25L_GE3
No. Parte Newark76Y1523
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQD50P08-25L_GE3
No. Parte Newark76Y1523
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia136
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
136
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SQD50P08-25L_GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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