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SQJ504EP-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, N&P, 40V, POWERPAK SO
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ504EP-T1_GE3Copiar
No. Parte Newark59AC7655
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 42 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.520 |
| 10+ | $1.620 |
| 25+ | $1.450 |
| 50+ | $1.270 |
| 100+ | $1.100 |
| 250+ | $0.981 |
| 500+ | $0.870 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.52
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ504EP-T1_GE3Copiar
No. Parte Newark59AC7655
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N30A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P30A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente6100µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente6100µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N34W
Disipación de Potencia de Canal P34W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
30A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
6100µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
34W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
30A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
6100µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
34W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto