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SQJQ510ER-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 225A, POWERPAK 8X8LR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ510ER-T1_GE3Copiar
No. Parte Newark22AM2341
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.890 |
| 10+ | $4.850 |
| 25+ | $4.470 |
| 50+ | $4.070 |
| 100+ | $3.680 |
| 250+ | $3.500 |
| 500+ | $3.320 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ510ER-T1_GE3Copiar
No. Parte Newark22AM2341
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id225A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1860µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 8 x 8LR
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.3V
Disipación de Potencia214W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
225A
Diseño de Transistor
PowerPAK 8 x 8LR
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1860µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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