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SQM10250E_GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 65 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQM10250E_GE3
No. Parte Newark81AC3516
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
189 En Stock
800 Puede reservar stock ahora
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.320 |
| 10+ | $2.950 |
| 25+ | $2.730 |
| 50+ | $2.510 |
| 100+ | $2.240 |
| 500+ | $2.030 |
| 1000+ | $1.740 |
| 2500+ | $1.610 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.32
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQM10250E_GE3
No. Parte Newark81AC3516
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id65
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.03
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
65
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.03
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SQM10250E_GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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