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SUD50P04-08-BE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 50 A, 8.1 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P04-08-BE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8988
Cinta adhesiva80AH8988
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
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en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $49.000 | $49.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $49.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $49.000 |
| 10+ | $28.400 |
| 25+ | $26.000 |
| 50+ | $23.000 |
| 100+ | $20.400 |
| 250+ | $18.680 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P04-08-BE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8988
Cinta adhesiva80AH8988
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.0067ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.1
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd73.5W
Disipación de Potencia73.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0067ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
73.5W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
73.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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