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SUM50020EL-GE3
MOSFET, CANAL N, 60V, 120A, TO-263
Disponible para realizar pedido
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.070 |
| 10+ | $3.980 |
| 25+ | $3.630 |
| 50+ | $3.310 |
| 100+ | $2.960 |
| 250+ | $2.570 |
| 500+ | $2.180 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.07
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM50020EL-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark57AJ0781
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2100µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia375W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto