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SUP70040E-GE3
MOSFET, N-CH, 1000V, 120A, TO-220-3
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP70040E-GE3
No. Parte Newark94Y6503
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
1,292 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.140 |
| 10+ | $3.140 |
| 25+ | $2.860 |
| 50+ | $2.590 |
| 100+ | $2.310 |
| 500+ | $2.220 |
| 1000+ | $1.800 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP70040E-GE3
No. Parte Newark94Y6503
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia375W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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