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SUP70040E-GE3
MOSFET, N-CH, 1000V, 120A, TO-220-3
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark94Y6503
Rango de ProductoThunderFET
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.130 |
| 10+ | $4.280 |
| 25+ | $3.930 |
| 50+ | $3.580 |
| 100+ | $3.230 |
| 500+ | $2.990 |
| 1000+ | $2.700 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP70040E-GE3Copiar
No. Parte Newark94Y6503
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia375W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4000µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
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