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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP70060E-GE3
No. Parte Newark75AH9270
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
291 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $2.520 |
10+ | $1.770 |
25+ | $1.680 |
50+ | $1.590 |
100+ | $1.500 |
500+ | $1.430 |
1000+ | $1.370 |
2500+ | $1.350 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP70060E-GE3
No. Parte Newark75AH9270
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id131A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0058ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia200W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
131A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0058ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto