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VEMT2520X01
Fototransistor, 850 nm, 15 °, 100 mW, 2 Pines
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVEMT2520X01
No. Parte Newark37T8994
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.850
Ángulo de Visión15
Consumo de Potencia100
No. de Pines2Pines
Diseño de Transistor-
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2A - 4 weeks
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
Silicon NPN phototransistor suitable for detector in automotive applications, photo interrupters, miniature switches, counters, encoders and position sensors.
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ±15°
- AEC-Q101 qualified
- Surface mount package
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
850
Consumo de Potencia
100
Diseño de Transistor
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Ángulo de Visión
15
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2A - 4 weeks
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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