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C3M0065090D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0065090D
No. Parte Newark98Y6016
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia125W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
125W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto