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C3M0280090J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteWOLFSPEED
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Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark98Y6021
Rango de ProductoC2M
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.670 |
| 10+ | $7.380 |
| 25+ | $6.070 |
| 50+ | $4.780 |
| 100+ | $4.400 |
| 250+ | $4.070 |
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
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Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark98Y6021
Rango de ProductoC2M
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id11
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia de Activación Rds(on)0.28ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.28
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd50W
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia50
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoC2M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.28
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
50
Rango de Producto
C2M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia de Activación Rds(on)
0.28ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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