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NSS20101JT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSS20101JT1G
No. Parte Newark85W3179
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor20V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo20V
Corriente de Colector Continua1A
Disipación de Potencia Pd255mW
Disipación de Potencia255mW
Corriente de Colector DC1A
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Núm. de Contactos3Pines
Diseño de TransistorSC-89
Frecuencia de Transición350MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
20V
Disipación de Potencia Pd
255mW
Corriente de Colector DC
1A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SC-89
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
20V
Corriente de Colector Continua
1A
Disipación de Potencia
255mW
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Núm. de Contactos
3Pines
Frecuencia de Transición
350MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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