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STD6N62K3
MOSFET Transistor, N Channel, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD6N62K3
No. Parte Newark94T3353
Hoja de datos técnicos
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| 100+ | $1.080 |
| 500+ | $1.080 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD6N62K3
No. Parte Newark94T3353
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds620V
Intensidad Drenador Continua Id5.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia90W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
620V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.95ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
90W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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