AS4C16M16SB-6BIN

AS4C16M16SB-6BIN es una DRAM síncrona (SDRAM) de 16M x 16 bits. Es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 256Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 4M palabras x 16 DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando BankActivate que luego es seguido por un comando de lectura o escritura. Proporciona longitudes de ráfaga de lectura o escritura programables de 1, 2, 4, 8 o página completa, con una opción de terminación de ráfaga. Se puede habilitar una función de precarga automática para proporcionar una precarga de fila temporizada automática que se inicia al final de la secuencia de ráfaga. Es ideal para aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria y es particularmente adecuado para aplicaciones de PC de alto rendimiento.

• Funcionamiento totalmente sincrónico, arquitectura de canalización interna
• 4M de palabras x 16 bits x 4 bancos, actualización automática y autoactualización
• Registros de modo programable, latencia CAS: 2 o 3, duración de la ráfaga: 1, 2, 4, 8 o página completa
• Tipo de ráfaga: secuencial o intercalada, función de detención de ráfaga
• 8192 ciclos de actualización/64ms, modo de apagado de CKE
• Fuente de alimentación única de +3.3V ± 0.3V
• Interfaz LVTTL
• Frecuencia de 166MHz
• Paquete FBGA de 54 bolas
• Rango de temperatura industrial de -40°C a 85°C