Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteALLIANCE MEMORY
No. Parte FabricanteAS4C256M16MD4V-062BAN
No. Parte Newark85AK6941
Hoja de datos técnicos
136 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $14.100 |
5+ | $14.100 |
10+ | $14.100 |
25+ | $14.100 |
50+ | $14.100 |
100+ | $14.100 |
250+ | $14.100 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$14.10
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteALLIANCE MEMORY
No. Parte FabricanteAS4C256M16MD4V-062BAN
No. Parte Newark85AK6941
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4X Móvil
Densidad de Memoria4
Configuración de Memoria256M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj1.6
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
AS4C256M16MD4V-062BAN is a LPDDR4X SDRAM. It is organized as 1 or 2 channels per device, and individual channel is 8-banks and 16-bits. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is essentially a 16n prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. This product offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 16n bits prefetched to achieve very high bandwidth.
- 256Mx16 org, 1600MHz maximum clock frequency
- LVSTL (low voltage swing terminated logic) I/O interface
- Selectable output drive strength (DS), 16-bit pre-fetch DDR data bus
- Single data rate (multiple cycles) command/address bus
- Bidirectional/differential data strobe per byte of data (DQS, DQS)
- DMI pin support for write data masking and DBI functionality
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Support non-target DRAM ODT control, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- On-chip temperature sensor whose status can be read from MR4
- Automotive temperature range from -40°C to 105°C, 200-ball FBGA package
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4X Móvil
Configuración de Memoria
256M x 16bit
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Densidad de Memoria
4
Frecuencia Max de Reloj
1.6
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto