AS4C4M16SA-6BAN

AS4C4M16SA-6BAN 64Mb SDRAM es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 64Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 1M palabras x 16 DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando de activación bancaria que luego es seguido por un comando de lectura o escritura. Se puede habilitar una función de precarga automática para proporcionar una precarga de fila temporizada automática que se inicia al final de la secuencia de ráfaga. Las funciones de actualización, ya sea automática o de actualización automática, son fáciles de usar. Al tener un registro de modo programable, el sistema puede elegir los modos más adecuados para maximizar su rendimiento. Es ideal para aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria y es particularmente adecuado para aplicaciones de PC de alto rendimiento.

• Tiempo de acceso rápido desde el reloj: 5.4ns, frecuencia de reloj rápida: Interfaz LVTTL, 166MHz
• Funcionamiento totalmente sincrónico, compatible con AEC-Q100
• Arquitectura de canalización interna, 1 millón de palabras x 16 bits x 4 bancos
• Registros de modo programable, latencia CAS: 2 o 3, duración de la ráfaga: 1, 2, 4, 8 o página completa
• Tipo de ráfaga: secuencial o intercalada, función de detención de ráfaga
• Actualización automática y autoactualización, 4096 ciclos de actualización/32 ms
• Modo de apagado de CKE, fuente de alimentación única +3.3V ±0.3V
• Frecuencia de 166MHz
• Paquete FBGA de 54 bolas
• Rango de temperatura industrial de -40 a 105°C