AS4C4M16SA-6TIN

AS4C4M16SA-6TIN 64Mb SDRAM es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 64Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 1M palabras x 16 DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando de activación bancaria que luego es seguido por un comando de lectura o escritura. Se puede habilitar una función de precarga automática para proporcionar una precarga de fila temporizada automática que se inicia al final de la secuencia de ráfaga. Las funciones de actualización, ya sea automática o autoactualización, son fáciles de usar. Al tener un registro de modo programable, el sistema puede elegir los modos más adecuados para maximizar su rendimiento. Es ideal para aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria y es particularmente adecuado para aplicaciones de PC de alto rendimiento.

• Funcionamiento totalmente sincrónico, arquitectura de canalización interna
• 1M palabras x 16 bits x 4 bancos, registros de modo programables, latencia CAS: 2 o 3
• Duración de la ráfaga: 1, 2, 4, 8 o página completa, tipo de ráfaga: secuencial o intercalada, función de parada de ráfaga
• Actualización automática y actualización automática, 4096 ciclos de actualización/64ms, interfaz LVTTL
• Modo de apagado de CKE, fuente de alimentación única +3.3V ±0.3V
• Frecuencia de 166MHz
• Paquete TSOPII de 54 pines
• Rango de temperatura industrial de -40 a 85°C