¿Necesita más?
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $7.120 |
10+ | $7.120 |
25+ | $7.120 |
50+ | $7.120 |
100+ | $7.120 |
250+ | $7.120 |
500+ | $7.120 |
Información del producto
Resumen del producto
AS4C512M8D4-83BCN es una DRAM síncrona (SDRAM) DDR4 de 512Mb x 8 bits. La SDRAM DDR4 es una memoria de acceso aleatorio dinámica de alta velocidad organizada internamente con dieciséis bancos (4 grupos de bancos cada uno con 4 bancos). La SDRAM DDR4 utiliza una arquitectura de precarga de 8n para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura 8nprefetch se combina con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de lectura o escritura para la SDRAM DDR4 consta de una única transferencia de datos de cuatro ciclos de reloj y 8n bits de ancho en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de medio ciclo de reloj y n bits de ancho en los pines de E/S. Las operaciones de lectura y escritura en la SDRAM DDR4 están - orientadas a ráfagas, comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una ráfaga de ocho o una ráfaga "interrumpida" de cuatro en una secuencia programada. La operación comienza con el registro de un comando de activación, al que luego sigue un comando de lectura o escritura.
- Cumple con el estándar JEDEC, admite la especificación de fluctuación de reloj JEDEC, reloj máximo de 1200MHz
- Estroboscopio de datos diferenciales bidireccionales, DQS y DQS#, reloj diferencial, CK y CK#
- 16 bancos internos: 4 grupos de 4 bancos cada uno, estructuras de control de E/S separadas por grupo de bancos
- Arquitectura de precarga de 8n bits, precarga y apagado activo, actualización automática y autorrefresco
- Actualización automática de bajo consumo (LPASR), interrupción de actualización automática, actualización de granularidad fina
- ODT dinámico (RTT-PARK, RTT-Nom y RTT-WR), nivelación de escritura, entrenamiento DQ mediante MPR
- Capacitación interna VREFDQ, capacitación sobre lectura del preámbulo, modo de control de marcha abajo
- Calibración ZQ, latencia de comando/dirección (CAL), modo de máximo ahorro de energía (MPSM)
- Reinicio asincrónico, habilitación/deshabilitación de DLL, latencia CAS (CL), latencia de escritura CAS (CWL)
- Paquete FBGA de 78 bolas, rango de temperatura comercial (extendido) de 0 °C a 95 °C
Especificaciones técnicas
DDR4
512M x 8bit
FBGA
1.2
0
-
No SVHC (27-Jun-2024)
4
1.2
78Pines
Surface Mount
95
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto