ADR431TRZ-EP

La ADR431-EP es una referencia de voltaje XFET de bajo ruido con capacidad de sumidero y fuente de corriente. Esta referencia de voltaje XFET® presenta bajo nivel de ruido, alta precisión y rendimiento de deriva a baja temperatura. Mediante el uso de la corrección de curvatura de desviación de temperatura patentada de Analog Devices, Inc. y la tecnología FET de unión extra implantada (XFET), se minimiza el cambio de voltaje frente a la no linealidad de la temperatura en el dispositivo. La referencia XFET funciona con una corriente más baja (800μA) y un margen de tensión de suministro más bajo (2V) que las referencias zener enterradas. Las referencias zener enterradas requieren más de 5V de espacio libre para funcionar. Esta referencia es una solución óptimas de bajo ruido para sistemas de 5V. El dispositivo tiene capacidad para generar hasta +10mA de corriente de salida y disipar hasta −10mA. También viene con un terminal de recorte para ajustar el voltaje de salida en un rango de 0.5% sin comprometer el rendimiento. Las aplicaciones típicas incluyen sistemas de adquisición de datos de precisión, convertidores de datos de alta resolución, circuitos de control óptico e instrumentos de precisión.

• No se requiere capacitor externo, fuente de salida alta y corriente de sumidero de +10mA y −10mA
• Regulación de carga de 15ppm/mA máximo y regulación de línea de 20ppm/V máximo
• Admite aplicaciones aeroespaciales y de defensa, estándar de componentes electrónicos calificados aeroespaciales (AQEC)
• Rango de temperatura militar de -55°C a +125°C, referencia de fabricación controlada
• Un sitio de ensamblaje y prueba, un sitio de fabricación
• Voltaje de salida de 2.5V, precisión de ±1.0mV, coeficiente de temperatura máximo de 5ppm/°C
• Ruido de voltaje de 3.5µV p-p (0.1 Hz a 10Hz), densidad de ruido de tensión de 80nV/√Hz a 1KHz
• Rango de voltaje de alimentación de funcionamiento de 4.5V a 18V
• Relación de rechazo de ondulación de −70dB a fIN = 1KHz, tiempo de establecimiento de activación de 10µs a CL = 0µF
• Paquete SOIC-N de 8 terminales

Notas

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