HMC1132PM5E

El HMC1132PM5E es un amplificador de potencia de circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) pseudomórfico de transistor de alta movilidad de electrones (pHEMT) de arseniuro de galio (GaAs) de cuatro etapas. El HMC1132PM5E exhibe una linealidad excelente con una interceptación de tercer orden (IP3) de alto rendimiento de 37 dBm y está optimizado para sistemas de radio de alta capacidad, punto a punto y punto a multipunto. La configuración del amplificador y la alta ganancia hacen del HMC1132PM5E un candidato ideal para la amplificación de señal de última etapa antes de la antena. La aplicación incluye radios punto a punto, radios punto a multipunto, terminales de apertura muy pequeña (VSAT) y comunicaciones por satélite (SATCOM), militares y espaciales.

• La potencia de salida saturada es de 29.5dBm (tipo, T = 25 °C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• La intercepción de salida de tercer orden es de 37dBm (típica, medición tomada a 5V, 650mA)
• La alta ganancia es de 24dB (típica) de 29GHz a 32GHz
• Rango de frecuencia de 27 a 29GHz (TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• La ganancia es de 22dB (tipo, T = 25 °C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• La pérdida de retorno es de 7 dB (típico, TA = 25 °C, VDD1 = VDD2 = 5 V)
• La potencia de salida para la compresión de 1dB es de 28.5dBm (típ., T = 25 °C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• La potencia de salida saturada es de 29.5dBm (tipo, T = 25 °C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• La figura de ruido es de 7dB (típico, TA = 25 °C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Paquete LFCSP de 32 terminales, rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a +85°C

Notas

Los productos ADI solo están autorizados (y vendidos) para su uso por parte del cliente y no deben revenderse ni transmitirse de otro modo a ningún tercero.