HMC199AMS8ETR

El HMC199AMS8E es un conmutador de "derivación" dual SPDT GaAs de uso general y bajo costo que cubre CC a 2.5GHz. Estos componentes de cuatro puertos RF integran dos conmutadores SPDT y una línea directa en un solo CI. Los diseños proporcionan una baja pérdida de inserción de menos de 0.5dB al conmutar los componentes del circuito externo pasivo o activo dentro y fuera de la ruta de la señal. Los aislamientos de puerto a puerto suelen ser de 25 a 30dB. El circuito en chip permite la operación de control de voltaje positivo a corrientes de CD muy bajas con entradas de control compatibles con CMOS y la mayoría de las familias lógicas TTL. Las aplicaciones incluyen LNA o conmutación de derivación de filtro y conmutación de atenuador de un solo bit. Se utiliza en aplicaciones como celulares, estaciones base ISM, PCS, etc.

• La pérdida de inserción es de 0.3dB típica a (CD - 1 GHz, TA = +25 °C, Vctl = 0/+5 VCD)
• El aislamiento es de 25dB típico a (CD - 2GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/5Vdc)
• La pérdida de retorno (estado on, cualquier puerto) es de 30dB típica a (CD - 2GHz, TA = +25 °C, Vctl = 0/+5 VCC)
• La potencia de entrada para la compresión de 1dB es de 28dBm típica a (0.5GHz a 2GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5 VCD)
• La intercepción de entrada de tercer orden es de 55dBm típica a (0.5GHz a 2GHz, TA = +25 °C, Vctl = 0/+5 VCD)
• Las características de conmutación son 20ns típicos a (CD - 2.5GHz, TA = +25°C, Vctl = 0/+5Vdc)
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo del paquete es ultrapequeño MSOP8

Notas

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