HMC358MS8GE

El HMC358MS8GE es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactor y amplificadores buffer. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La aplicación típica incluye MMIC VCO de bajo ruido con amplificador de búfer para aplicaciones de banda C como UNII y Pt. a pinta. radios, 802.11a y HiperLAN WLAN, radios VSAT.

• No se necesita resonador externo
• Rango de frecuencia de 5.8 a 6.8GHz (TA = +25° C, Vcc = +3V)
• La potencia de salida es de 11dBm (típico, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Ruido de fase SSB a 100KHz de compensación, Vtune = +5V en RFOUT es -110dBc/Hz (típico, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• Rango de voltaje de sintonía de 0 a 10V (Vtune, TA = +25°C, Vcc = +3V)
• La corriente de alimentación (Icc) (Vcc = +3V) es 100mA (típ., TA = +25°C, Vcc = +3V)
• La corriente de fuga del puerto de sintonía (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25°C, Vcc = +3V)
• La pérdida de retorno de salida es de 9dB (típ., T = +25°C, Vcc= +3V)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 0.8MHz/°C (típico, TA = +25 °C, Vcc = +3 V)
• Paquete MSOP8G de 8 conductores, rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C

Notas

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