HMC509LP5E

El HMC509LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y cuenta con una salida de media frecuencia. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La aplicación típica incluye radio VSAT, radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, uso final militar.

• No se necesita resonador externo
• Rango de frecuencia de 7.8 a 8.8GHz (Fo, TA = +25° C, Vcc = +5V)
• La potencia de salida es de +10dBm (entrada, SALIDA RF, AT = +25° C, Vcc = +5V)
• Ruido de fase SSB con compensación de 100KHz, Vtune = +5V en RFOUT es -115 dBc/Hz (típico, TA = +25 °C, Vcc = +5V)
• Sintonice el rango de voltaje de 2 a 13V (TA = +25° C, Vcc = +5V)
• La corriente de alimentación (Icc) (Vcc = +5.0V) es 250mA (típ., TA = +25°C, Vcc = +5V)
• La corriente de fuga del puerto de sintonía (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25°C, Vcc = +5V)
• La pérdida de retorno de salida es de 2dB (típ., T = +25°C, Vcc= +5V)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 0.9MHz/°C (típico, TA = +25 °C, Vcc = +5 V)
• Paquete QFN, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85 °C

Notas

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