HMC509LP5ETR

El HMC509LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este dispositivo integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y cuenta con una salida de media frecuencia. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La potencia de salida es de +13dBm típica de un suministro de +5V.. Es ampliamente utilizado en aplicaciones tales como radio VSAT, radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, uso final militar, etc.

• Salida doble: Fo = 7.8GHz - 8.8GHz, Fo/2 = 3.9GHz - 4.4GHz
• No se necesita resonador externo
• El ruido de fase es -115dBc/Hz típico en (compensación de 100KHz, Vtune= +5V en RFOUT)
• El rango de voltaje de sintonización es de 2V a 13V
• La corriente de suministro es de 250mA típica a (TA = +25 °C, Vcc = +5V)
• La corriente de fuga del puerto de sintonización es de 10µA típ.. a (TA = +25°C, Vcc = +5V)
• La pérdida de retorno de salida es de 2dB típica a (TA = +25°C, Vcc = +5V)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 0.9MHz/°C típica a (TA = +25 °C, Vcc = +5 V)
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo de empaque es QFN

Notas

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