HMC510LP5ETR

El HMC510LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este dispositivo integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y presenta salidas de media frecuencia y divididas por 4. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La potencia de salida es de +13dBm típica de un voltaje de suministro de +5V. Las funciones de preescalador y RF/2 se pueden desactivar para conservar corriente si no es necesario. Se utiliza en aplicaciones tales como radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, SATCOM, uso final militar, etc.

• La salida dual es Fo = 8.45GHz - 9.55GHz, Fo/2 = 4.225GHz - 4.775GHz
• El ruido de fase es -116dBc/Hz típico en (compensación de 100KHz, Vtune= +5V en RFOUT)
• No se necesita resonador externo
• El rango de voltaje de sintonización es de 2V a 13V
• La corriente de suministro es de 315mA típica a (TA = +25°C)
• La pérdida de retorno de salida es de 2dB típica a (TA = +25 °C)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 0.8MHz/°C típica a (TA = +25 °C)
• Empujar a (Vtune= 5V) es 20 MHz/V típico
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo del paquete es QFN de 32 terminales

Notas

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