HMC632LP5E

El HMC632LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. Este dispositivo integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y presenta salidas de media frecuencia y divididas por 4. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La potencia de salida es de +9dBm típica de un voltaje de suministro de +5V. Las funciones de preescalador y RF/2 se pueden desactivar para conservar corriente si no es necesario. Es ampliamente utilizado en aplicaciones tales como radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, SATCOM, uso final militar, etc.

• Salida doble: Fo = 14.25GHz a 15.65GHz, Fo/2 = 7.125GHz a 7.825 GHz
• El ruido de fase es -107 dBc/Hz típico a (100 KHz, TA = +25 °C)
• No se necesita resonador externo
• El rango de voltaje de sintonización es de 2V a 13V
• La corriente de suministro es de 350mA típica a (TA = +25°C)
• La pérdida de retorno de salida es de 2dB típica a (TA = +25°C)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 1MHz/°C típica a (TA = +25°C)
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo del paquete es SMT de 32 terminales

Notas

Los productos ADI solo están autorizados (y vendidos) para su uso por parte del cliente y no deben revenderse ni transmitirse de otro modo a ningún tercero.