HMC8411LP2FETR

El HMC8411LP2FE es un circuito integrado de microondas monolítico (MMIC) arseniuro de galio (GaAs), transistor de alta movilidad de electrones pseudomórfico (pHEMT), amplificador de banda ancha de bajo ruido que funciona de 0,01 GHz a 10 GHz. La potencia de salida saturada (PSAT) de 19.5dBm típica permite que el amplificador de bajo ruido (LNA) funcione como un controlador de oscilador local (LO) para muchos dispositivos de Analog Devices, Inc., balanceados, en fase/cuadratura (I/Q) , o mezcladores de rechazo de imagen. También cuenta con entradas y salidas que se adaptan internamente a 50 ohms, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de radio de microondas de alta capacidad basadas en tecnología de montaje en superficie (SMT). Se utiliza en aplicaciones como instrumentación de prueba, comunicaciones militares, etc.

• La ganancia es de 15.5dB típica a (0.01GHz a 1GHz)
• La cifra de ruido es de 1.8dB típica a (0.01GHz a 1GHz)
• La intercepción de salida de tercer orden es de 33.5dBm típica a (0.01GHz a 1GHz)
• La corriente de suministro es de 55mA típica
• El voltaje de suministro es de 5V típico
• La eficiencia de potencia añadida es del 30% típica
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo del paquete es LFCSP de 6 terminales

Notas

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