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HSMS-2822-TR1G
Diodo Schottky RF, Barrera, Serie doble, 15 V, 1 A, 340 mV, 1 pF, SOT-23
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FabricanteBROADCOM
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No. Parte Newark45T2337RL
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Resumen del producto
The HSMS-2822-TR1G is a 3-pin dual surface-mount RF Schottky Barrier Diode for both analogue and digital applications. Typical application of this Schottky diode is mixing, detecting, switching, sampling, clamping and wave shaping. The HSMS-282x series of diode is the best all-around choice for most applications, featuring low series resistance, low forward voltage at all current levels and good RF characteristics.
- Low turn-on voltage (as low as 0.34V at 1mA)
- Low FIT (failure in time) rate
- Six-sigma quality level
- Better thermal conductivity for higher power dissipation
- 12Ω Typical dynamic resistance
- 500°C/W Thermal resistance
- 150°C Junction temperature
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
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