Diodos Zener Sencillos | Newark Electrónica México

Fabricante

Voltaje Zener Nom.

Disipación de Potencia

Estilo de la Carcasa del Diodo

No. de Pines

Temperatura de Trabajo Máx.

Montaje del Diodo

Rango de Producto

Embalaje

Filtro(s) aplicado(s)

Rango de Producto

:

Serie BZX79

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	BZX79C3V3	58K0131 Data Sheet RoHS	ONSEMI Diodo Zener Individual 3.3 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.033 10+ $0.033 100+ $0.028 500+ $0.028 1000+ $0.028 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	3.3	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C6V2	18C5990 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 6.2 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.021 10+ $0.021 100+ $0.021 500+ $0.021 1000+ $0.021 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	6.2	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C15	18C5974 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 15 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.013 10+ $0.013 100+ $0.013 500+ $0.013 1000+ $0.013 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	15V	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C5V1	58K8782 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 5.1 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.157 10+ $0.099 100+ $0.041 500+ $0.037 1000+ $0.031 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	5.1	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C12	58K8779 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 12 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.018 10+ $0.018 100+ $0.018 500+ $0.018 1000+ $0.018	Mín: 1/Múlt: 1	12	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C6V8	58K0133 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 6.8 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.010 10+ $0.010 100+ $0.010 500+ $0.010 1000+ $0.010 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	6.8	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C9V1	18C5994 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 9.1 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.010 10+ $0.010 100+ $0.010 500+ $0.010 1000+ $0.010 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	9.1	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C10	58K8778 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 10 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.011 10+ $0.011 100+ $0.011 500+ $0.011 1000+ $0.011 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	10	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79C4V7	18C5987 Data Sheet RoHS	ONSEMI Diodo Zener Individual 4.7 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.011 10+ $0.011 100+ $0.011 500+ $0.011 1000+ $0.011 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	4.7	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79
	BZX79-C2V4,133	70R4475 Data Sheet RoHS	NEXPERIA Diodo Zener Individual 2.4 V 500 mW DO-35 2 Pines 200 °C Through Hole		Cada	1+ $0.011 10+ $0.011 100+ $0.011 500+ $0.011 1000+ $0.011 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	2.4	500	DO-35	2Pines	200	Through Hole	Serie BZX79

Artículos por página:

1-10 de 10 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS