Diodos Zener Sencillos | Newark Electrónica México

Fabricante

Voltaje Zener Nom.

Disipación de Potencia

Estilo de la Carcasa del Diodo

Núm. de Contactos

Temperatura de Trabajo Máx.

Montaje del Diodo

Calificación

Rango de Producto

Embalaje

Filtro(s) aplicado(s)

Rango de Producto

:

Serie MMSZ4xxxT1G

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	MMSZ4679T1G	71J6025 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 2 V 500 mW SOD-123 2 Pines 150 °C Surface Mount		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.015 50+ $0.015 100+ $0.015 250+ $0.015 500+ $0.015 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	2V	500mW	SOD-123	2Pines	150°C	Surface Mount	AEC-Q101	Serie MMSZ4xxxT1G
	MMSZ4684T1G	45J1578 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 3.3 V 500 mW SOD-123 2 Pines 150 °C Surface Mount		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.022 50+ $0.022 100+ $0.022 250+ $0.022	Mín: 1/Múlt: 1	3.3V	500mW	SOD-123	2Pines	150°C	Surface Mount	AEC-Q101	Serie MMSZ4xxxT1G
	MMSZ4685T1G	45J1579 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 3.6 V 500 mW SOD-123 2 Pines 150 °C Surface Mount		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.014 25+ $0.014 50+ $0.014 100+ $0.014 250+ $0.014 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	3.6V	500mW	SOD-123	2Pines	150°C	Surface Mount	AEC-Q101	Serie MMSZ4xxxT1G
	MMSZ4699T1G	45J1585 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 12 V 500 mW SOD-123 2 Pines 150 °C Surface Mount		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.023 50+ $0.023 100+ $0.023 250+ $0.023 500+ $0.023 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	12V	500mW	SOD-123	2Pines	150°C	Surface Mount	AEC-Q101	Serie MMSZ4xxxT1G
	MMSZ4688T3G	42AC1761 Data Sheet RoHS Fecha y lote	ONSEMI Diodo Zener Individual 4.7 V 500 mW SOD-123 2 Pines 150 °C Surface Mount		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.015 50+ $0.015 100+ $0.015 250+ $0.015 500+ $0.015	Mín: 1/Múlt: 1	4.7	500mW	SOD-123	2Pines	150°C	Surface Mount	AEC-Q101	Serie MMSZ4xxxT1G
	MMSZ4684T1G.	26AC2309 Data Sheet RoHS	ONSEMI Diodo Zener Individual 3.3 V 500 mW SOD-123 2 Pines 150 °C		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+ $0.034 6000+ $0.033 12000+ $0.031	Mín: 3000/Múlt: 3000	3.3V	500mW	SOD-123	2Pines	150°C	-	AEC-Q101	Serie MMSZ4xxxT1G
	MMSZ4689T1G.	26AC2311 Data Sheet RoHS	ONSEMI Diodo Zener Individual 5.1 V 500 mW SOD-123 2 Pines 150 °C		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+ $0.028 6000+ $0.027 12000+ $0.026 18000+ $0.025	Mín: 3000/Múlt: 3000	5.1V	500mW	SOD-123	2Pines	150°C	-	AEC-Q101	Serie MMSZ4xxxT1G

Artículos por página:

1-7 de 7 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS