735 Módulos de Diodos | Newark Electrónica México

Encuentre una amplia gama de 735 Módulos de Diodos en Newark Electrónica México. Disponemos de una amplia gama de Módulos de Diodos, como 40A, 200A, 85A & 12A Módulos de Diodos de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Infineon.

Filtro(s) aplicado(s)

Corriente Directa Promedio

:

735

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	DZ600N12KHPSA1	39AH8809 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON Módulo de Diodos 1.2 kV 735 A 1.4 V Único Module 2 Pines		Cada	1+ $269.210	Mín: 1/Múlt: 1	1.2	735	1.4	Único	Module	2Pines	150	22	Panel
	DZ600N16KHPSA1	49AC0205 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON Módulo de Diodos 1.6 kV 735 A 1.4 V Único Module 2 Pines		Cada	1+ $280.850	Mín: 1/Múlt: 1	1.6	735	1.4	Único	Module	2Pines	150	22	Panel

Artículos por página:

1-2 de 2 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS